谷内研究室の藤原弘和氏（特任助教）が2025年度キオクシア奨励研究 優秀研究賞を受賞しました。この賞は、2025年度に実施したキオクシア奨励研究の中から、1年間の研究成果をキオクシア株式会社の研究者・技術者で組織された運営委員会による厳正な審査により、理学・工学に学術的貢献をした者に授与されるものです。

受賞対象となった研究テーマは「オペランド・レーザー励起光電子顕微鏡で非破壊観察する酸化物セレクタデバイスの電子状態不均一性」です。

セレクタは、ある閾値電界で非線形的に電気抵抗が変化する材料で、集積化、三次元化可能なクロスポイントに基づくメモリ・アレイ・アーキテクチャを実現する上で不可欠です。本研究では高速スイッチング可能なVO₂セレクタの低ON/OFF比、閾値変動の起源を解明するために、VO₂セレクタデバイスを試作し、オペランドレーザー励起光電子顕微鏡（Laser-PEEM）によって、VO₂が金属化する瞬間を電極越しに可視化することを目的に研究を実施しました。VO₂セレクタデバイスの動作実証に成功し、電極越しにVO₂の電子状態変化を実空間イメージングすることに成功しました。本研究は、VO₂セレクタデバイスのON/OFF比の低さや閾値変動の原因解明に向けてLaser-PEEMを用いたオペランド観察技術を成功裏に実施したものであり、次世代メモリデバイスの高性能化に向けた大きな一歩となる成果として高く評価されました。

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