松林和幸氏(上床研究室元助教・現電気通信大学准教授)が第10回(2016年)日本物理学会若手奨励賞(領域8)を受賞
日本物理学会は将来の物理学を担う優秀な若手研究者の研究を奨励するために、若手奨励賞を設けています。今年度(第10回)の領域8における若手奨励賞受賞者の一人に松林和幸氏(上床研究室元助教・現電気通信大学准教授))が選ばれました。
受賞対象となったのは、「強相関電子系物質における多自由度に起因する圧力誘起量子相転移の研究」です。同氏は圧力や磁場によってコントロールされる種々の相転移近傍での物性測定(電気抵抗、比熱、磁化率等)を極低温・磁場中で精密に行い、四極子秩序が圧力によって抑制される近傍における重い電子超伝導の発見および圧力誘起磁気秩序相の出現と価数揺らぎの量子臨界現象との関連を明らかにした。これらの研究成果は強相関電子物性分野の研究の進展に大きく貢献したと評価され、今回の受賞に至りました。
対象論文:
[1]”Intrinsic Properties of AFe2As2 (A = Ba, Sr) Single Crystal under Highly Hydrostatic Pressure Conditions”, K. Matsubayashi, N. Katayama, K. Ohgushi, A. Yamada, K. Munakata, T. Matsumoto, Y. Uwatoko, J. Phys. Soc. Jpn. 78, 073706(2009).
日本物理学会 若手奨励賞受賞者一覧
http://www.jps.or.jp/activities/awards/jusyosya/wakate2016.php
