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高木里奈准教授が第8回輝く女性研究者賞（ジュンアシダ賞）を受賞

東京大学物性研究所の高木里奈准教授が、科学技術振興機構（JST）の「第8回輝く女性研究者賞（ジュンアシダ賞）」を受賞しました。

「輝く女性研究者賞（ジュンアシダ賞）」は、JSTが女性研究者の活躍推進の一環として、持続的な社会と未来に貢献する優れた研究などを行っている女性研究者を表彰する制度です。2019年度に創設され、女性研究者の活躍を推進している機関を対象とする「輝く女性研究者活躍推進賞（ジュンアシダ賞）」とあわせて実施されています。

高木准教授は、電子相関・対称性・トポロジーに由来する電子物性の研究を進めています。ハードディスクなどの記憶装置では、物質の中にある小さな磁石の向きを利用して情報を記録していますが、記録する部分を小さくして密集させると磁石同士が影響し合い、記録密度を高めることが難しくなります。一方、高木准教授が研究する反強磁性体では、電子が作る小さな磁石が互いに反対向きに並ぶため、物質全体としては磁石の性質がほとんど現れません。この性質は高密度な情報記録に適していると考えられてきましたが、情報の読み書きが難しいという課題がありました。高木准教授らは、硫化鉄（FeS）を用いて、室温でも情報を保持・書き換え、その状態を電気的に読み出せることを示しました。

さらに、従来は試料依存性として扱われてきた結晶のわずかな成分の違いや欠陥、時間とともに生じる変化に着目し、それらを物性制御の因子として捉えることで、新たな物質設計原理の構築にも取り組んでいます。こうした研究を通じて、高密度・高速な次世代メモリーの実現を目指しています。

今回の受賞では、こうした研究成果に加え、欧州の研究機関との継続的な連携をはじめとする国際的な研究活動や、ダイバーシティ推進、一般向け講演、女子中学生の職場訪問の受け入れなど、アウトリーチや次世代育成への取り組みも評価され、独創性・国際性・社会貢献を兼ね備えた研究者として選ばれました。

表彰式は、2026年10月25日（日）に東京国際交流館 プラザ平成で開催されます。

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(公開日: 2026年10月26日)

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