土師将裕氏（長谷川研 助教）が日本表面真空学会 講演奨励賞を受賞
長谷川研究室の土師将裕氏（東京大学物性研究所 助教）は、5月30日に東京大学武田ホールで行われた日本表面真空学会2026年通常総会において、2025年日本表面真空学会学術講演会 講演奨励賞（若手研究者部門）を受賞しました。同賞は、日本表面真空学会の学術講演会において表面・真空科学技術の発展に貢献しうる優れた研究発表を行った満33〜39歳の若手研究者に授与されるものです。 受賞対象となった発表タイトルは「Role of semiconducting nanoregion on macroscopic transport properties studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy/potentiometry」です。
従来の電気伝導測定は材料の平均的な性質しか捉えられず、ナノスケールの欠陥・相分離・ステップ構造が輸送特性に与える影響を直接評価することは困難でした。特に、単原子膜において金属・半導体領域が局所的に混在する2次元系では、局所構造が輸送特性を支配する可能性が高いにもかかわらず、その因果関係を実験的に可視化することはこれまで難しい課題でした。
本研究では、低温走査トンネル顕微鏡（STM）・走査トンネル分光（STS）・走査トンネルポテンショメトリー（STP）を組み合わせることで、原子スケールでの局所構造・電子状態および電気伝導の関係を直接可視化する手法を確立し、単原子金属膜における輸送現象の起源を明らかにしました。原子スケールの局所構造が巨視的な電気伝導にどのような影響を与えるかという問いに対して直接的・定量的な答えを与えた点、および表面科学・二次元物質・量子材料の輸送研究における新たな計測基盤を提供した点が高く評価され、受賞につながりました。
関連論文
- “Role of semiconducting nanoregion on macroscopic transport properties studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy/potentiometry”Applied Surface Science 717, (2026)164538
- “In situ nanoscale transport measurements on monoatomic metal films by low-temperature scanning tunneling potentiometry”Phys.Rev.Applied 23, 064051(2025)