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一般に超伝導が二次元的になるとバルクより超伝導転移温度T_cが下がるが，鉄系超伝導体FeSeではSrTiO₃基板上に極薄膜を成長させるとむしろT_cが大きく上昇する[1]．この超伝導増強は基板との界面効果によることから，界面の設計次第でさらに高いT_cを実現できると期待される．一方で，ギャップが発達する温度よりも低い温度でしかゼロ抵抗やマイスナー効果は観測されないことから，T_c以上でのクーパー対の形成が起きている可能性が指摘されている[2]．本セミナーでは我々が行ってきたパルスレーザー堆積（PLD）法による極薄膜FeSeの作製[3]と，ネルンスト効果測定を用いて超伝導揺らぎを調べた結果[4]について紹介する．

[1] Q. Y. Wang et al., Chin. Phys. Lett. 29, 037402 (2012).
[2] B. Faeth et al., Phys. Rev. X 11, 021054 (2021).
[3] T. Kobayashi et al., Supercond. Sci. Technol. 35, 07LT01 (2022).
[4] T. Kobayashi, R. Ogawa, and A. Maeda, Phys. Rev. B 112, 094525 (2025).

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