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紫外可視過渡吸収分光測定を用いたイオンポンプロドプシンの機構研究 / 超高速レーザー分光によるハライドペロブスカイト半導体ナノ構造の光物性開拓

日程 : 2024年6月24日(月) 1:00 pm - 3:00 pm 場所 : 物性研究所 本館6階 第1会議室(A636) および Zoom (Hybrid) 講師 : 1. 加藤 善隆 氏 2. 湯本 郷 氏 世話人 : セミナー係:室谷 悠太(松永研究室)
e-mail: murotani@issp.u-tokyo.ac.jp
講演言語 : 日本語

講師: 加藤 善隆 氏(物性研究所 井上研究室 特任助教)
題目: 紫外可視過渡吸収分光測定を用いたイオンポンプロドプシンの機構研究

概要:
光受容膜タンパク質ロドプシンは、神経科学分野や医療への応用が期待されている。現在、ゲノム・メタゲノム解析の発展により数万種類を超える微生物ロドプシンが発見されており、我々はその分子機能、物性の解明、および改良に取り組んでいる。私は特に光駆動イオンポンプ機能を有するロドプシンに着目し、紫外可視過渡吸収分光測定を用いた機構解明に取り組んできた。本講演では、ナトリウムポンプのプロトン–ナトリウム競合取込みモデル、内向きプロトンポンプのイオン輸送モデルに関する研究を紹介する[1-3]。
[1] Y. Kato et al., J. Phys. Chem. Lett. 6, 5111−5115 (2015).
[2] K. Inoue et al., Nat. Commun. 7, 13415 (2016).
[3] K. Inoue et al., J. Phys. Chem. B 122, 6453−6461 (2018).

講師: 湯本 郷 氏 (物性研究所 松永研究室 特任助教)
題目: 超高速レーザー分光によるハライドペロブスカイト半導体ナノ構造の光物性開拓

概要:
ハライドペロブスカイト半導体は優れた光電特性を示す新たな直接遷移型半導体であり、高効率な光電変換デバイスへの応用などが期待されている。近年、ナノ粒子や二次元層状物質などのハライドペロブスカイト半導体ナノ構造が作製され、低次元系特有の物性に加え、三次元バルク結晶の優れた光学特性を反映した現象が現れる新たな半導体ナノ材料として大きな注目を集めている[1]。本講演では、超高速レーザー分光手法に加え偏光分解測定や顕微分光測定を駆使することにより明らかになった、ハライドペロブスカイト半導体ナノ構造の非線形光学特性[2,3]や光スピン物性[4]を議論する。
[1] G. Yumoto and Y. Kanemitsu, Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 22405-22425 (2022).
[2] G. Yumoto et al., J. Phys. Chem. Lett. 9, 2222-2228 (2018).
[3] G. Yumoto et al., Nat. Commun. 12, 3026 (2021).
[4] G. Yumoto et al., Sci. Adv. 8, eabp8135 (2022).

 

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事前登録用フォーム:https://forms.gle/qsk7tRrCPCwsq79MA


(公開日: 2024年06月11日)