日本学士院では、若手研究者を顕彰して今後の研究を奨励することを目的として、平成16年に日本学士院学術奨励賞(Japan Academy Medal)を創設しました。受賞者は、独立行政法人日本学術振興会の日本学術振興会賞受賞者の中から選ばれます。学術のあらゆる分野を含めて6名に絞るという狭き門となっています。

この度、第11回（平成26年度）日本学士院学術奨励賞受賞者の一人として、中辻知准教授が選ばれました。受賞対象となった研究は「強相関電子系における新しい量子物性の開拓」です。

中辻知氏は重い電子系と呼ばれるランタノイド元素を含む新化合物の単結晶を作成し、高度な測定技術と深い専門知識を同時に連携させ、これらの物質の磁性や超伝導に関わる物性物理の新しい分野を開拓し、多くの注目すべき成果を生み出してきました。中辻氏の重要な研究成果は以下のように要約されます。希土類の１つである、イッテルビウムを含む新物質β－YbAlB₄を開発し、それが重い電子系に属することを確かめ、さらに超伝導、量子臨界現象を示すことを発見しました。さらにプラセオジム化合物Pr₂Ir₂O7の単結晶を育成し、これを用いてスピン液体状態や、ゼロ磁場異常ホール効果を初めて解明しました。同様にプラセオジムを含むカゴ状化合物PrTr₂Al₂₀(Tr=Ti, V)を作成し、プラセオジム4f電子の非磁性の四極子自由度に基づく近藤効果を初めて確認し、これらの物質が新しく四極子秩序の量子臨界性とともに重い電子超伝導を示すことも発見しました。

日本学士院の紹介記事：
http://www.japan-acad.go.jp/japanese/news/2015/011301.html