ナノスケール物性研究部門勝本研究室に在学中の博士課程３年大塚朋廣氏が平成21年度東京大学理学系研究科研究奨励賞を受賞することが決まりました．

この賞は，当該年度の博士号申請論文における研究の中で特に優れたものに与えられます．大塚氏は，側面結合型半導体量子ドットが関係する固体物理の研究において，少数電子系のファノ効果，量子細線内の電子の非平衡分布，電子スピン偏極の検出，量子ホール状態での試料端にできるエッジ状態などについて新しい研究手法を編み出し，新しくて有用な知見を得たことが評価されました．

授賞式は，3月24日文京区本郷の理学部１号館内小柴ホールにて学位伝達式に引き続き行われます．