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スピントロニクスは２１世紀のキーテクノロジーとして基礎と応用の両面から研究されている。記録素子として 古典磁石を用いた巨大磁気抵抗（GMR）やトンネル磁気抵抗（GMR）が日常的に使われている。しかし、ムーアの限界を超えるためには古典磁石をナノサイズにしなければならないが、古典磁石はナノサイズでは磁石としては働かない。そこで、我々は２１世紀のナノ分子磁石である単分子量子磁石を用いてムーアの限界を超えるために、量子分子スピントロニクスに関する研究を行っている。本講演では、単分子量子磁石を用いた、単分子メモリー、近藤効果、巨大磁気抵抗（GMR）、トンネル磁気抵抗（TMR）、電界トランジスター（FET)、などについて紹介する。

[1] T. Komeda, M. Yamashita, et al., Nature Commun., 2, 217(2011)
[2] K. Katoh, M. Yamashita, et al., J. Am. Chem. Soc., 131, 9967(2009)
[3] Z.Wei-Xiong, M. Yamashita, et al., J. Am. Chem. Soc., 134, 6908(2012)
[4] T. Komeda, K. Kaoth, M. Yamashita, et al., J. Am. Chem. Soc., 135, 651(2013)

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