はじめに　--　BL19リボルバーアンジュレータビ　ームラインの現状 --　東大物性研　柿崎明人

BL19分光光学系の更新　　　東大物性研　藤沢正美

新型アンジュレータの可能性　　　　KEK物構研　山本　樹

UVSOR低エネルギービームラインの現状　　　分子研UVSOR　木村真一

HiSOR低エネルギービームラインの現状　　　　　 広大理　木村昭夫

スピン分解光電子分光の新展開、COPHEEからESPRESSOへ 　　　 広大HiSOR　奥田太一

対称性に起因する特異なRashba効果　　　　　　 千葉大工　坂本一之

BiおよびPb吸着Ge(111)表面のRashba 型スピン分裂　　 　　京大理　八田振一郎

Si表面上In原子鎖への電子ドーピングの効果　　　　 Yonsei大学　守川春雲

半導体表面に形成した表面構造の歪による電子状態の変化　　　　横浜市大　重田諭吉

Au/Ge表面の電子状態　　　　　　　東大物性研　中辻　寛

金属水素化物の電子状態研究　　　　　　　　　筑波大物質　関場大一郎

チタン薄膜直下におけるシリコン酸化促進反応の解析　 　　　横浜国大工　大野真也

「BL19アンジュレータビームライン高度化に対するアンケート」の結果について 　　　東大物性研　松田　巌