現在位置: ホーム 当センターについて 運営メンバー 笠松 秀輔

笠松 秀輔

 物質設計評価施設助教 笠松秀輔


研究内容

計算機シミュレーションによる、界面物性とその工学的応用に関する研究

トランジスタやキャパシタなどの電子デバイスや、燃料電池、リチウムイオン電池などのエネルギー変換デバイスへの応用を念頭に、界面における

  • 誘電率
  • 輸送特性
  • 反応活性

の変調(バルクとの違い)に着目して研究を進めています。界面物性を積極的に利用し、これまでにない高性能・高機能な材料を実現することが最終的な狙いです。

略歴

  • 2008年 3月 東京大学工学部マテリアル工学科 卒業
  • 2010年 3月 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 修士課程 修了
  • 2012年 9月 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 博士課程 修了 博士(工学) 取得
  • 2010年 4月-2012 9月 日本学術振興会特別研究員 DC1
  • 2012年 10月-11月 日本学術振興会特別研究員 PD
  • 2012年 11月- 東京大学物性研究所 助教

受賞

最近の論文

  • Parallel-sheets model analysis of space charge layer formation at metal/ionic conductor interfaces
    Shusuke Kasamatsu, Tomofumi Tada, and Satoshi Watanabe, Solid State Ionics 226, 62 (2012).
  • Orbital-Separation Approach for Consideration of Finite Electric Bias within Density-Functional Total-Energy Formalism
    Shusuke Kasamatsu, Satoshi Watanabe, and Seungwu Han, Phys. Rev. B 84, 085120 (2011). (Editor's suggestion)
  • Theoretical analysis of space charge layer formation at metal/ionic conductor interfaces
    Shusuke Kasamatsu, Tomofumi Tada, and Satoshi Watanabe, Solid State Ionics 183, 20 (2011).

 

 連絡先

E-mail: kasamatsu__at__ issp.u-tokyo.ac.jp

Tel/Fax: 04-7136-3261

Homepage: http://skmat.sakura.ne.jp/

 

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