| 座長: 今田正俊(東大物性研) |
13:10-13:40 | 杉野 修(NEC基礎研) |
| Time Dependent Density Functional Molecular Dynamics Simulations |
13:45-14:00 | 乙部 智仁(筑波大学物理学系原子核理論研究室) |
| 強光子場中における原子分子の微視的計算 |
14:00-14:15 | 籾田浩義(広島大学大学院先端物質科学研究科) |
| NiO(001)表面の磁性と電子状態 |
14:15-14:35 | 白井光雲(大阪大学産業科学研究所) |
| 第一原理計算によるアモルファスシリコンの欠陥制御の研究 |
14:35-14:55 | 石井晃(鳥取大学工学部) |
| GaN(0001)のホモ/ヘテロエピタキシャル成長の第一原理計算 |
14:55-15:15 | 田仲由喜夫(名古屋大学大学院工学研究科) |
| 磁場下における銅酸化物超伝導体の準粒子干渉効果の理論 |
15:15-15:30 | 岸正人、初貝安弘(東京大学工学系研究科物理工学専攻) |
| Anderson局在に対する電子相関の効果の密度行列繰り込み群による研究 |