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超高速半導体レーザー動作のデバイス物理

日程 : 2018年8月23日(木) 10:30 am - 12:00 pm 場所 : 物性研究所本館6階 第5セミナー室 (A615) 講師 : 松井康浩 所属 : Finisar Corp. Principle Engineer, and Visiting Professor of NICHe, Tohoku University 世話人 : 秋山 英文 (6-3385)
e-mail: golgo@issp.u-tokyo.ac.jp
講演言語 : 日本語

半導体レーザの変調帯域は、30 GHz程度の帯域を達成した後、ここ20年近く、進展はあまり見られなかった。最近、いくつかの素子物理を組み合わせることで、60 GHzの帯域が実証され、更なる高速化が期待されている。講演では、半導体レーザの動作速度を記述するレート方程式を直感的に理解することから始め、古くから知られながらも最大限に活用されてこなかった共振器効果として、フォトン-フォトン共鳴効果、Detuned-loading効果、及び、最近指摘された、共振器内FM-AM変換の効果、を解説する。これらの効果は、高速化を可能にするだけでなく、振動のダンピングにも大きな影響を与え、従来の利得スイッチやモード同期とは異なる、新たなタイプの柔軟な光パルス光源を生み出す可能性もある。また、戻り光に対する強い耐性を持つことも期待される。


(公開日: 2018年08月02日)