日本物理学会では将来の物理学を担う優秀な若手研究者の研究を奨励することを目的として若手奨励賞を設けています。

この度、領域9における第8回（2014年）受賞者の一人として、白澤徹郎氏（高橋研究室助教）が選ばれました。白澤氏は表面Ｘ線回折法の最新の解析法や低速電子線回折法を駆使した埋もれた界面の原子スケール構造決定を基盤として、次世代半導体材料として期待されるSiC上に理想界面をもつ酸窒化Si層が成長するのを発見したこと、並びに、新しい量子相として注目されているトポロジカル絶縁体の界面を世界で初めて非破壊イメージングしたことが評価され、今回の受賞に至りました。

対象論文：
[1]“Epitaxial Silicon Oxynitride Layer on a 6H-SiC(0001) Surface”, T. Shirasawa, K. Hayashi, S. Mizuno, S. Tanaka, K. Nakatsuji, F. Komori, and H. Tochihara, Physical Review Letters 98, 136105 (2007).

[2]“Interface of a Bi(001) film on Si(111)-7×7 imaged by surface x-ray diffraction”, T. Shirasawa, M. Ohyama, W. Voegeli, and T. Takahashi, Physical Review B 84, 075411 (2011).

[3]“Structure of a Bi/Bi2Te3 heteroepitaxial film studied by x-ray crystal truncation rod scattering”, T. Shirasawa, J. Tsunoda, T. Hirahara, and T. Takahashi, Physical Review B 87, 075449 (2013).