2002年度 発表一覧
| No. | 題目 | 学会 | 発表者 |
| 1 | ヘキ開再成長法によって 製作された(110)GaAs量子井戸上の 表面原子ステップの観察 Observation of surface atomic steps on (110) GaAs quantum well manufactured by cleaved-edge overgrowth method. |
2002年秋：「秋季大会」（中部大） 2002年 ９月 6-9 . 講演番号：6pSA-12 領域: 4 |
呉智元1*, 吉田正裕1, 秋山英文1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2 1 東大物性研 2アメリカ ルーセントベル研 |
2003年度 発表一覧
| No. | 題目 | 学会 | 発表者 |
| 1 | 超平坦界面を有するＧａＡｓ（110）量子井戸の顕微分光 Micro-Photoluminescence from GaAs (110) with atomically flat surface. |
2003年春：「第58回年次大会」（東北大学川内キャンパス/東北学院大学土樋キャンパス） 2003 ３月 28-31 講演番号：30pYH-3 領域: 4 |
呉智元1*, 吉田正裕1, 秋山英文1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2 1 東大物性研、 CREST (JST) 2アメリカ ルーセントベル研 |
| 2 | Carrier Diffusion on Atomically Flat (110) GaAs Quantum Wells 国際学会題目の日本語訳 原子平坦ＧａＡｓ（110）量子井戸におけるキャリアー拡散 |
The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures -MSS11- PA-55(poster presentation) 14 - 18(14日に発表), July 2003 Nara, Japan |
Ji-Won Oh1*, Masahiro Yoshita1, Hidefumi Akiyama1, Loren N. Pfeiffer2,
Ken W. West2 1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST 2Bell Laboratories, Lucent Technologies, U.S.A 国際学会所属の日本語表示 呉智元1*, 吉田正裕1, 秋山英文1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2 1 東大物性研、 CREST (JST) 2アメリカ ルーセントベル研 |
| 3 | GaAs(110)表面のGa, As原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算 Low and anisotropic barrier energy for adatom migration on a GaAs (110) surface studied with the first-principles calculation |
平成15年秋季第64回応用物理学会学術講演会、2003年8月30日-9月2日、福岡大学七隈キャンパス 講演番号：21pYC-4 領域: 13-7 Basic Study of Crystal Growth |
石井晃1、逢坂豪1、呉智元2、吉田正裕2、秋山英文2 鳥取大工1、東大物性研2 Akira Ishii1, Tsuyoshi Aisaka1, Ji-Won Oh2, Masahiro Yoshita2 and Hidefumi Tottori Univ.1 ISSP Univ.Tokyo2, |
| 4 | 希薄GaAsN混晶のフォトルミネッセンス Photoluminescence from dilute GaAsN alloy |
平成15年秋季第64回応用物理学会学術講演会、2003年8月30日-9月2日、福岡大学七隈キャンパス 講演番号：1p-K-7 領域：13.3 III-V epitaxial crystal |
埼玉大工1，東大物性研，東大工3 ○青木貴嗣1，森桶利和1，呉 智元2，秋山英文2，土方泰斗1，矢口裕之1，吉田貞史1，青木大一郎3，尾鍋研太郎3 Saitama University1，1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo,School of Engineering, University of Tokyo3, Takashi Aoki1，Toshikazu Morioke1，Ji-Won Oh2，Hidefumi Akiyama2，Yasuto Hijikata 1，Hiroyuki Yaguchi1，Sadashi Yoshida1,Ooichiro Aoko3，Kentaro Onabe3 |
| 5 | GaAs基板上に成長したGaAsN混晶のフォトルミネッセンス Photoluminescence from dilute GaAsN alloy on GaAs substrate |
平成15年秋季第64回応用物理学会学術講演会、2003年8月30日-9月2日、福岡大学七隈キャンパス 講演番号：1p-K-8 領域：13.3 III-V epitaxial crystal |
埼玉大工1，東大物性研,2，東大工3 ○森桶利和1，青木貴嗣2，呉 智元2，秋山英文2，土方泰斗1，矢口裕之1，吉田貞史1，青木大一郎3，尾鍋研太郎3 Saitama University1，Institute for Solid State Physics, University of Tokyo 2,School of Engineering, University of Tokyo3, Toshikazu Morioke1，Takashi Aoki1,Ji-Won Oh2，Hidefumi Akiyama2，Yasuto Hijikata 1，Hiroyuki Yaguchi1，Sadashi Yoshida1,Ooichiro Aoko3，Kentaro Onabe3 |
| 6 | 生体物質cytochrome cを用いた発光ダイオードの特性 Characterization of organic electroluminescence diode using horseheart cytochrome c |
日本物理学会 2003年 秋季大会, 岡山大学 津島キャンパス, 2003年9月20-23日 講演番号：22pXG-7 領域7 (分子性固体・有機導体分野) |
田島裕之，池田真吾，松田真生，Ji-Won Oh，秋山英文 東大物性研 H.Tajima,, S. Ikeda, M. Matsuda, Ji-Won Oh,H. Akiyama Institute for Solid State Physics, University of Tokyo |
| 7 | GaAs(110)表面のGa， As原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算 Low and anisotropic barrier energy for adatom migration on a GaAs (110) surface studied with the first-principles calculation |
日本物理学会 2003年 秋季大会, 岡山大学 津島キャンパス, 2003年9月20-23日 講演番号：21pYC-4 領域：9(表面・界面、結晶成長分野) |
石井晃1、逢坂豪1、呉智元2、吉田正裕2、秋山英文2 鳥取大工1、東大物性研2 Akira Ishii1, Tsuyoshi Aisaka1, Ji-Won Oh2, Masahiro Yoshita2 and Hidefumi Tottori Univ.1 ISSP Univ.Tokyo2, |
| 8 | First Principles calculation of the epitaxial growth of GaAs(110) as an atomically flat substrate for nano structure 国際学会題目の日本語訳 ナノー構造のための原子平坦基盤としてのGaAs(110)面のエピタキシー成長の第一原理計算 |
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-7), Nara, Japan, November16-20, 2003 |
Akira Ishii1, Tsuyoshi Aisaka1, Ji-Won Oh2, Masahiro Yoshita2, and Hidefumi Akiyama2 1 Tottori University, Koyama, Tottori 680-8552, Japan 2 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST, 国際学会所属の日本語表示 石井晃1、逢坂豪1、呉智元2、吉田正裕2、秋山英文2 1鳥取大工、 2東大物性研, CREST (JST) |
2004年度 発表一覧
| No | 題目 | 学会 | 発表者 |
| 1 | Micro-Photoluminescence from characteristic atomic steps in GaAs (110) quantum well with atomically flat surfac | 2004春：「第59回年次大会（九州大学箱崎キャンパス）」 2004 ３月 ２７−３０日(28日発表） 講演番号：28pPSB-6 領域: 4 |
呉智元1*, 吉田正裕1, 秋山英文1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2 1 東大物性研、 CREST (JST) 2アメリカ ルーセントベル研 |
| 2 | Atomically Smooth Interface with Characteristic Step Edges in a (110) GaAs Quantum Well Revealed by Microphotoluminescence Technique 国際学会題目の日本語訳 顕微分光によって明らかになったGaAs(110)量子井戸における特徴的なステップエッジをもつ原子平坦表面 |
The 9th International Symposium on Advanced Physical fields (APF-9) "Characterization of Artificial Nanostructures and Nanomaterials" P03 (Poster Presentation) March 1-4(2日に発表), 2004, NIMS (Tsukuba), Japan |
Ji-Won Oh1*, Masahiro Yoshita1, Y. Hayamizu1, A. Ishii2, H. Akiyama1, L.
N. Pfeiffer3, K. W. West3 1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST 2 Tottori University, Koyama, Tottori 680-8552, Japan 3 Bell Laboratories, Lucent Technologies, U.S.A 国際学会所属の日本語表示 呉智元1*, 吉田正裕1, 秋山英文1, 石井晃2, Loren N. Pfeiffer3, Ken W. West3 1東大物性研, CREST (JST), 2鳥取大工、 3アメリカ ルーセントベル研 |
| 3 | Cytochrome cを用いた有機EL素子の発光挙動とI-V特性 | 2004年（平成16年）春季 第51回応用物理学関係連合講演会 ( 東京工科大学) 28-31, March 講演番号：31p-E-4 分科 10.3 分子エレクトロニクス |
池田真吾，松田真生，田島裕之，安東頼子，呉 智元，秋山英文 東大物性研 S. Ikeda, M. Matsuda,H.Tajima,Y.Ando,Ji-Won Oh,H. Akiyama Institute for Solid State Physics, University of Tokyo |
| 4 | 極低窒素濃度GaAsN混晶からのフォトルミネッセンス Photoluminescence from very dilute vacancy density GaAsN alloy |
講演番号：30p-YG-8 分科：13.3 III-V族エピタキシャル結晶 |
埼玉大工1，東大物性研2，東大工3 ○青木貴嗣1，森桶利和1，呉 智元2，秋山英文2，土方泰斗1，矢口裕之1，吉田貞史1，青木大一郎3，尾鍋研太郎3 Saitama University1，Institute for Solid State Physics, University of Tokyo 2,School of Engineering, University of Tokyo3, Takashi Aoki1，Toshikazu Morioke1，Ji-Won Oh2，Hidefumi Akiyama2，Yasuto Hijikata 1，Hiroyuki Yaguchi1，Sadashi Yoshida1,Ooichiro Aoko3，Kentaro Onabe3 |
Papers: (論文)
2003年度 発表論文
Appl. Phys. Lett. 82, 11, (2003), pages1709-1711
Step-edge kinetics driving the formation of atomically flat (110) GaAs surfaces
Ji-Won Oh1*, Masahiro Yoshita1, Hidefumi Akiyama1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2
1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
2Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, New Jersey, 07974, U.S.A
Journal of Crystal Growth, 251, (2003), Pages 62-67
Control of MBE surface step-edge kinetics to make an atomically smooth quantum well
Masahiro Yoshita1, Ji-Won Oh1, Hidefumi Akiyama1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2
1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
2Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, New Jersey, 07974, U.S.A
Solid State Communications 126 (2003) Pages 579-581
A light-emitting diode fabricated from horse-heart cytochrome c
H.Tajima,S. Ikeda,M. Matsuda,N. Hanasaki,Ji-Won Oh,H. Akiyama
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
Appl. Phys. Lett. 83, 20 (2003) pages 4187-4189
Low and anisotropic barrier energy for adatom migration on a GaAs (110) surface studied by first-principles calculations
Akira Ishii1, Tsuyoshi Aisaka1, Ji-Won Oh2, Masahiro Yoshita2, and Hidefumi Akiyama2
1 Tottori University, Koyama, Tottori 680-8552, Japan
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
2004年度 発表論文
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 21 (2004) pages 689-691
Carrier Diffusion on Atomically Flat (110) GaAs Quantum Wells
Ji-Won Oh1*, Masahiro Yoshita1, Hirotake Itoh1, Hidefumi Akiyama1, Loren N. Pfeiffer2, Ken W. West2
1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
2 Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, New Jersey, 07974, U.S.A
2004年度 出版中
Applied Surface Science
Formation mechanisms of monolayer pits having characteristic step-edge shapes on annealed GaAs (110) surfaces
Akira Ishii1, Tsuyoshi Aisaka1, Ji-Won Oh2, Masahiro Yoshita2, and Hidefumi Akiyama2
1 Tottori University, Koyama, Tottori 680-8552, Japan
2 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
In publishing.
Applied Surface Science
Atomically smooth interface with characteristic step edges of a (110) GaAs quantum well characterized by micro-photoluminescence technique
Ji-Won Oh1, Yuhei Hayamizu1, Masahiro Yoshita1, and Hidefumi Akiyama1,
Akihra Ishii2, Loren N. Pfeiffer3, Ken W. West3
1 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, and CREST, JST,
5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan
2 Tottori University, Koyama, Tottori 680-8552, Japan
3 Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, New Jersey, 07974, U.S.A
Accepted