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原著第二版翻訳版 (1999)

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出版社 シュプリンガー・フェアラーク東京

 半導体物理の基礎からデバイスへの応用まで,実践的に解説した教科書. 半導体の完全結晶や人工格子の作製法など,マテリアル・サイエンスとして の側面を強調する一方,特に著者らの専門であるラマン散乱,発光,光電子 分光などといった光学的性質の記述に重点をおいている.理論的取り扱いは ,冗長な一般論を避け,常に明快な物理的イメージに基づいて解説されてい る.
 半導体物理の歴史の中で重要な展開となったトピックスについて,その9人 の立役者たち,Burstein, Cohen, Haller,Herring, Kittel, Smith, Tauc, von Klitzing,江崎玲於奈の回想と展望を掲載.

原著序文より  (テキスト) (PDF)

原著第2版序文 (テキスト) (PDF)

日本語版への序(テキスト) (PDF)

訳者あとがき  (テキスト) (PDF)

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原著 Fundamentals of Semiconductors / M. Cardona and Peter Y. Yu
(2nd ed., Springer-Verlag 1999
)

訳者の研究室紹介

末元 徹 勝本 信吾 岡 泰夫 大成 誠之助

正誤表は ここ にあります。(随時更新予定)
*注* 2000年02月23日 不具合を修正


以下が全体の目次になります。. サブセクションを含む完全な目次は ここ をクリックしてください。

目次

第1章.序論

1.1半導体の概観
1.2結晶成長方法
まとめ

第2章 電子バンド構造

2.1 量子力学
2.2 並進対称性とブリユアンゾーン
2.3 群論の手ほどき
2.4 空の格子−ほとんど自由な電子のエネルギーバンド
2.5 擬ポテンシャル法によるバンド構造計算
2.6 k・p法によるバンド構造計算
2.7 半導体のバンド構造に対する強束縛(LCAO)の方法
問題
まとめ

第3章 半導体の格子振動と電子−フォノン相互作用

3.1 半導体のフォノン分散関係
3.2 半導体のフォノン分散曲線を計算するためのモデル
3.3 電子−フォノン相互作用
問題
まとめ

第4章 不純物や格子欠陥の電子状態

4.1 不純物・格子欠陥の形態的分類
4.2 浅い(水素原子型)不純物
4.3 深い不純物準位
問題
まとめ

第5章 電気伝導

5.1 準古典的取り扱い
5.2 非縮退電子気体のキャリアー移動度
5.3 変調ドープ
5.4 高電場下の伝導とホットキャリアー効果
5.5 磁気輸送とホール効果
問題
まとめ

第6章 光学的性質 I

6.1 巨視的な電気力学
6.2 誘電率
6.3 励起子
6.4 フォノン-ポラリトンと格子吸収
6.5 外因的電子 による吸収
6.6 変調分光法
問題
まとめ

第7章 光学的性質II

7.1 発光分光
7.2 光散乱分光
問題
まとめ

第8章 光電子分光

8.1 光電子放出
8.2 逆光電子分光
8.3 表面効果
問題
まとめ

第9章 半導体中の電子とフォノンの量子閉じ込め効果

9.1 量子閉じ込めと状態密度
9.2 電子と正孔の量子閉じ込め
9.3 超格子中のフォノン
9.4 半導体超格子中のフォノンのラマンスペクトル
9.5 電気伝導:共鳴トンネル現象
9.6 2次元電子気体における量子ホール効果
9.7 結語
問題
まとめ

付録 : 半導体物理学の先駆者たちが語る回想

参考文献
訳者あとがき
索引


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